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高频光电导少子寿命测试仪/瞬态光电导寿命测试系统

型号:GDW3-LT1000
货号:ZH410
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注:产品图片仅供参考
简要描述:

少子寿命测试仪可自动计算出不同光源电压下的光脉冲对样品产生的注入比;放大器放大倍数可调,可放大2倍、10倍、30倍。光强电压、脉冲宽度由软件测试系统界面设定。硅单晶电阻率ρ的测量范围为5-104Ω•cm。

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产品详情

  • 产品介绍:
    瞬态光电导寿命测试仪用于多晶硅、硅单晶生产及高校和科研等。用于多晶硅和单晶硅的控制及实验室科研。仪器采用高频光电导法,样品表面切割研磨面进行测量,寿命仪的放大倍数是可变的。当出现超过5V的光电导电压后,可将放大倍数减为10倍。
    产品特点:
    1.放大器放大倍数可调,可放大2倍、10倍、30倍。
    2.光强电压、脉冲宽度由软件测试系统界面设定。
    3.光强电压可按设定的步距自动增加,并同时显示光强增加后寿命值的变化。
    4.可自动计算出不同光源电压下的光脉冲对样品产生的注入比。
    规格参数:
    适合范围:测量多晶硅检验棒、单晶切断后的段料及头尾料;
    硅单晶电阻率ρ的测量范围:5-104Ω•cm;
    红外发光二极管波长:1.06µm;
    脉宽范围:120µs;
    光源电压:1.2-5V(可在界面上设定光源电压或设置自动调节)。

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