产品详情

• 产品简介:
  测试中小功率半导体三，管开关参数，功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶体管。
  Td延迟时间
  tr被测晶体管上升时间
  ton晶体管开启时间
  ts存贮时间
  tf被测晶体管下降时间
  toff晶体管下降时间
  主要参数
  测量范围：由5nS至500 nS
  测量条件
  Ib1=Ib2=1mA,  Ic=10 mA
   2) Ib1=Ib2=3mA，Ic=300 mA
   3) Ib1=Ib2=10mA，Ic=100 mA
   4) Ib1=Ib2=30mA，Ic=300 mA
   5) Ib1=Ib2=50mA，Ic=500 mA
  脉冲宽度：0.7-2.5uS
  ±脉冲前沿：≤2nS
  ±脉冲幅度：±10V±0.5V
  ，指标
  脉冲信号源：频率20K
  取样示波器：带宽: 1000MHz
  扫   速：20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm 200nS/cm
  CRT显示输入/输出波形 计算机显示测量参数及测量结果。