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• 实验项目：

  1.测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；

  2.作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线；

  3.对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合；

  4.研究InSb磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性（倍频效应），观测其物理现象。（拓展试验）

  规格参数：

  励磁电流：0-800mA，三位半数.数显分辨率1mA；

  电压测量：0-1999.9mV，四位半数显；

  直流电源：0-3mA，连续可调；

  双线圈电磁铁磁场

  水平位移：0-70mm，精度±0.1mm；

  垂直位移：0-30mm，精度±0.1mm；

  配磁阻效应实验模板

  仪器组成：

  恒流与电压测量仪、电磁铁磁场、磁阻效应实验模板，采用组合式结构。

  注：另配示波器、交流信号源可升级完成拓展实验内容：研究InSb磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性（倍频效应），观测其物理现象。